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多孔硅的干燥方法

Drying of Porous Silicon

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【作者】 虞献文朱荣锦朱自强应桃开李爱珍

【Author】 Yu Xianwen 1,2,Zhu Rongjin 1,Zhu Ziqiang 1,Ying Taokai 3 and Li Aizhen 4 (1 College of Information Science Mathematics and Physics,Zhejiang Normal University,Jinhua 321004,China) (2 College of Information Science and Technology,East China Normal University,Shanghai 200062,China) (3 College of Life and Science,Zhejiang Normal University,Jinhua 321004,China) (4 State Key Laboratory of Functional Materials and Devices,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,The Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China)

【机构】 浙江师范大学数理学院华东师范大学信息科学技术学院浙江师范大学生命环境科学学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 金华321004上海200062金华321004上海200050

【摘要】 研究了多孔硅的阴极还原表面处理技术 ,通过该技术获得了表面平滑度良好、稳定度高、抗压强度高和耐高温性能好且在空气中可以长期干燥保存的多孔硅样品 .在其表面上可以进行光刻、镀金等工艺 ,因此 ,可应用于制作器件甚至电路集成

【Abstract】 The technique of porous silicon surface post-treatment using cathode reduction is reported.The porous silicon obtained by this technique is stable and has good mechanical intensity,endurance high-tempereture resistance,smoothness surface,and drying to be conserved for long time in the air.It can be gilded,photoengraved and can make devices,even electric circuit integrate.

【基金】 国家自然科学基金 (批准号 :6992 5 40 9);上海市科学技术发展基金 (批准号 :0 15 2 110 66,0 12 2 610 2 8)资助项目~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2003年06期
  • 【分类号】TQ127.2
  • 【被引频次】16
  • 【下载频次】155
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