节点文献

带保护环结构的条形X光阵列探测器

Reduction of "Dead Region" of Silicon Stripe Detectors by Guard Ring Structure

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 盛丽艳； 韩德俊； 张秀荣； 田晓娜； 王传敏； 杜树成； 谢凡； 王光甫；

【Author】 Sheng Liyan 1,Han Dejun 1,Zhang Xiurong 1,Tian Xiaona 1,Wang Chuanmin 2, Du Shucheng 1,Xie Fan 1 and Wang Guangfu 3(1 Key Laboratory of Beam Technology and Materials Modification of Ministry of Education,Institute of Low Energy Nuclear Physics, Beijing Normal University,Beijing 100875,China) (2 New Device Laboratory,China Academy of Space Electronics Technology,Beijing 100076,China) (3 Test Center,Beijing Normal University,Beijing 100875,China)

【机构】 北京师范大学低能核物理所射线束技术与材料改性教育部重点实验室； 中国航天电子技术研究院新器件室； 北京师范大学测试中心 北京市辐射中心； 北京100875； 北京市辐射中心； 北京100076； 北京100875；

【摘要】 研究了带有保护环结构的条形 X光阵列探测器 ,结果表明 ,保护环的存在不仅降低了表面漏电 ,而且抑制了耗尽区的侧向扩展 .厚度为 30 0 μm的探测器样品 ,切割后的“死区”长度为 15 0 μm;环境温度为 18℃时 ,70 V偏压下加保护环测得的探测器完全耗尽时的漏电流为 2 0 n A.

【Abstract】 A silicon stripe X ray detector with guard ring is studied.It is demonstrated that the guard ring can not only decrease the surface leakage current,but also prevent the lateral spreading from the depletion layer of pn junction.A "dead region" achieves for a strip detector on 300μm thick silicon wafer is 150μm.Dark current of the diode(with guard ring) under a voltage of 70V( the diode is completely depleted under this voltage) is 20nA at temperature of 18℃.

【关键词】 X光探测器； 死区； 漏电流； 保护环； 端面入射；
【Key words】 X ray detector； dead region； leakage current； guard ring； edge on；
【基金】 国家自然科学基金 (批准号 :699760 0 6) ;北京市科技新星计划 (合同号 :95 2 870 3 0 0 );教育部优秀青年教师基金资助项目~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2003年02期
  • 【分类号】TN36
  • 【被引频次】6
  • 【下载频次】167
打印本页
节点文献中：