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共振隧穿二极管基础电路的模拟与分析

Simulation and analysis of basic RTD-based circuits

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【作者】 程玥； 许军；

【Author】 CHENG Yue,XU Jun (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China)

【机构】 清华大学微电子学研究所； 清华大学微电子学研究所 北京100084； 北京100084；

【摘要】 简单介绍了RTD的器件特性和器件模型 ,用HSPICE模拟出RTD与电阻、MOS晶体管、RTD本身结合的电路特性。通过对不同电路参数I V特性的模拟和分析 ,为理解RTD器件机理和构造复杂电路提供了初步的基础

【Abstract】 After an introduction of the device characteristics and the equivalent circuit model of RTD, the simulation results of several basic RTD based circuits by HSPICE are presented and analyzed, for the aim of providing help to understand RTD operation mechanism and construct complex RTD based circuits.

【关键词】 共振隧穿二极管； 双稳态； HSPICE模拟；
【Key words】 RTD； bistable circuits； HSPICE simulation；
  • 【文献出处】 微纳电子技术 ,Micronanoelectronic Technology , 编辑部邮箱 ,2003年Z1期
  • 【分类号】TN312.2
  • 【被引频次】4
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