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热释电薄膜单片式非致冷红外焦平面阵列的研究

Research of the pyroelectric thin film monolithic UFPA

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【作者】 刘少波李艳秋刘梅冬

【Author】 LIU Shao-bo 1 ,LI Yan-qiu 1 ,LIU Mei-dong 2(1.Institute of Electrical Engineering,Chinese Academy of Sciences,Beijing100080,China;2.Huazhong University of Sci&Tech,Wuhan430074,China)

【机构】 中国科学院电工研究所微纳加工部华中科技大学电子科学与技术系 北京100080北京100080湖北武汉430074

【摘要】 采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)技术,在Pt/Ti/SiO2/Si3N4/SiO2/Si基片上研制出具有优良热释电性能的BST,PLT和PZT铁电薄膜,它们是制备单片式非致冷红外焦平面阵列的优选探测材料。解决了制备热释电薄膜单片式非致冷红外焦平面阵列的关键技术,成功研制出8元、9元、10元线列和8×8元阵列,器件电压响应率(RV)达8.6×103V/W。

【Abstract】 By a modified sol-gel technique,the BST,PLT and PZT ferroelectric thin films with excel-lent pyroelectricity have been derived on the Pt/Ti/SiO 2 /Si 3 N 4 /SiO 2 /Si substrates.They are the chief can-didate sensitive materials as UFPA pixels.The key fabrication technology of pyroelectric thin film UFPA has been achieved.The8,9,10linear and8×8array of UFPA have been successfully prepared.Their figure of merits(FOM)of voltage detectivity(R V )is about 8.6×10 3 V/W.

【基金】 中国科学院“引进国外杰出人才基金”2001年资助项目;国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90201028);国家“863”计划资助项目(2003AA404150)
  • 【文献出处】 微纳电子技术 ,Micronanoelectronic Technology , 编辑部邮箱 ,2003年11期
  • 【分类号】TN219
  • 【被引频次】6
  • 【下载频次】167
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