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C+离子注入与CoSi2薄膜应力的研究

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【作者】 王若楠； 刘继峰； 冯嘉猷；

【机构】 清华大学材料科学与工程系； 清华大学材料科学与工程系 北京 100084； 北京 100084； 北京 100084；

【摘要】 根据改进的Thomas-Fermi-Dirac模型,分析了CoSi2薄膜中本征应力的起源,证明了基体与薄膜的原子表面电子密度差是薄膜本征应力的来源。实验在Si（100）基体注入碳离子（C+）,然后沉积钴（Co）薄膜,再进行快速退火（Rapid Thermal Annealing,简称 RTA）形成二硅化钴（CoSi2）薄膜,发现薄膜中的应力随C+离子注入剂量的增加而减少,理论计算了由C+离子注入引起的应力减小的数值,并与实验结果进行了比较。

【关键词】 CoSi2薄膜； 应力； 原子表面电子密度； TFD模型；
【基金】 国家自然科学基金(批准号:50171035)
  • 【文献出处】 自然科学进展 , 编辑部邮箱 ,2002年12期
  • 【分类号】O484.2
  • 【被引频次】12
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