【作者】 陈维德； 陈长勇； 宋淑芳； 许振嘉；
【机构】 中国科学院半导体所； 中国科学院半导体所 北京100083； 北京100083； 北京100083；
【摘要】 结合我们近年来在掺稀土硅基材料和Ⅲ Ⅴ族化合物半导体材料的发光研究,简述目前国际上在这方面研究的新进展。重点介绍掺铒硅基发光和掺稀土GaN发光材料和器件的研究结果。更多还原
