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GaN衬底材料LiGaO2晶体的温度梯度法生长及分析

Growth of LiGaO2 as a Substrate of GaN by Temperature Gradient Technique

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【作者】 杨卫桥； 干福熹； 邓佩珍； 周永宗； 徐军； 李抒智； 蒋成勇；

【Author】 Yang Weiqiao Gan Fuxi Deng Peizhen Zhou Yongzong Xu Jun Li Shuzhi Jiang Chengyong (Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, The Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800)

【机构】 中国科学院上海光学精密机械研究所； 中国科学院上海光学精密机械研究所 上海201800； 上海201800；

【摘要】 以温度梯度法生长LiGaO2 晶体 ,通过形貌观察、X射线衍射分析和X射线光电子能谱分析确认在样品的中部形成了单一相的LiGaO2 晶体。但在生长过程中由于CO气体的存在 ,熔体表面形成了LiO 和金属态的Ga,钼坩埚被侵蚀形成Li2 MoO4 进入熔体 ,使样品上下两部分的结晶质量变差。

【Abstract】 The growth of LiGaO 2 by temperature gradient technique (TGT) is reported. Through topographic observing, X ray diffraction analysis and X ray photoelectron spectroscopy analysis, it is found that the single phase crystal LiGaO 2 is formed in the middle of the sample. Owing to the existence of CO,LiO - and Ga is formed on the surface of melt during growth, then Li 2MoO 4 is formed in the melt due to Mo crucible is eroded by LiO - and Ga, the crystallization degraded at the upper and lower parts of the sample.

【关键词】 GaN； LiGaO2； 温度梯度法；
【Key words】 GaN； LiGaO 2； temperature gradient technique；
  • 【文献出处】 光学学报 ,Acta Optica Sinica , 编辑部邮箱 ,2002年06期
  • 【分类号】O782
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】95
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