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十二位SOI/CMOS数模转换器的研制

Research of twelve-bit DAC fabricated with SOI/CMOS process

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【作者】 范秀强； 张正番； 刘永光； 多新中； 张苗； 王连卫； 林成鲁；

【Author】 FAN Xiu-qiang1, ZHANG Zheng-fan2, LIU Yong-guang2, DUO Xin-zhong1, ZHANG Miao1, WANG Lian-wei1, LIN Cheng-lu1(1. Shanghai Institute of Metallurgy, Shanghai 200050, China;2. Sichuan Institute of Solid-State Circuits, Chongqing 400060, China)

【机构】 中国科学院上海冶金研究所； 四川固体电路研究所； 中国科学院上海冶金研究所 上海200050； 重庆400060； 上海200050； 上海200050；

【摘要】 介绍一种SOI/CMOS数模转换器的设计和工艺。电路采用了SOI(SiliconOnInsulator)材料代替常规的体硅,使电路具有高速、抗辐照的特点;同时,电路采用独特分段结构和3—7温度编码电路,降低了对R—2R电阻网络的精度要求,提高了转换精度。

【Abstract】 The design and fabrication of a kind of twelve-bit SOI/CMOS DAC is introduced. The circuits adopt SOI (Silicon On Insulator) instead of body Silicon, So the circuits have the advantages as high speed, anti-irradiation. And the circuits have special structure of segments and three-to- seven encoder, reducing the demand to resolution of R—2R net and improving the resolution of DAC circuits.

【关键词】 数模转换器； SOI/CMOS； 高速度； 模拟开关；
【Key words】 DAC； SOI/CMOS； high speed； analog switch；
【基金】 国家重点基础专项经费G20000365;上海市科学发展基金项目(No.99JC14012)
  • 【文献出处】 功能材料与器件学报 ,Journal of Functional Materials and Devices , 编辑部邮箱 ,2002年01期
  • 【分类号】TN792
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