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HEMT中二维电子气的电子密度的研究

Research on the Density of 2DEG in HEMT

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【作者】 徐敏；

【Author】 XU Min (Physics department,Ankang Teachers’ College,Ankang Shanxi 725000,China)

【机构】 陕西安康师范专科学校物理系 陕西安康725000；

【摘要】 考虑到界面态影响 ,通过求解泊松方程 ,推导出了HEMT中二维电子气的电子密度表达式 ,对文献未考虑界面态影响的HEMT中二维电子气的电子密度表达式作了重要修正

【Abstract】 Taking the influence of interface state into account and by solving the possion equation,the authors deduce a new expression for the density of 2DEG in HEMT,and put forword amendments for the expression of the density of 2DEG in HEMT in which the influence of interface state was not considered.

【关键词】 高电子迁移率晶体管； 二维电子气； 界面态； 电子密度；
【Key words】 HEMT； 2DEG； interface state； density；
  • 【文献出处】 江西师范大学学报(自然科学版) ,Journal of Jiangxi Normal University (Natural Sciences Edition) , 编辑部邮箱 ,2002年03期
  • 【分类号】O472.4
  • 【被引频次】9
  • 【下载频次】307
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