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X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比

Stoichiometry in SI-GaAs Bulk Materials by Triple Axis Mode X-Ray Diffraction Measurements

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【作者】 黎建明； 屠海令； 胡广勇； 王超群； 郑安生； 钱嘉裕；

【Author】 Li Jianming,Tu Hailing,Hu Guangyong,Wang Chaoqun,Zheng Ansheng and Qian Jiayu(National Engineering Research Center for Semiconductor Materials,General Research Institute for Non Ferrous Metals,Beijing 100088,China)

【机构】 北京有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心； 北京有色金属研究总院；

【摘要】 采用 X射线三轴晶衍射法 ,根据 As间隙原子对作为过量 As在 Ga As单晶材料中存在的主要形式的模型 ,可以无损、高精度测量半绝缘 Ga As单晶的化学配比 .并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系 ,对于制备高质量 Ga As单晶及其光电器件具有重要的意义 .

【Abstract】 The lattice parameters of SI GaAs are accurately measured by triple axis mode X ray diffraction method.The stoichiometry in SI GaAs bulk materials is calculated based on the model of the interstitial pairs for describing excess arsenic in GaAs.Triple axis mode X ray diffraction measurements are non destructive and high precision.The reasons of affecting the lattice parameters of SI GaAs are discussed.

【关键词】 晶格参数； 化学配比； 双晶衍射； 三轴晶模式衍射；
【Key words】 lattice parameters； stoichiometry； double crystal X ray diffraction； triple axis mode X ray diffraction；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2002年11期
  • 【分类号】TN304.07
  • 【被引频次】2
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