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薄膜a-Si PIN/OLED图像传感显示器的设计与模拟

Design and Simulation of a-Si PIN/OLED Sensor/Display Device

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【作者】 杨恢东; 侯信; 吴春亚; 熊绍珍; 郝云; 陈有素; 郭斌;

【Author】 Yang Huidong 1,2 ,Hou Xin 3,Wu Chunya 1,Xiong Shaozhen 1,Hao Yun 1,Chen Yousu 1 and Guo Bin 1(1 Institute of Photo-Electronics,Nankai University,Tianjin 300071,China) (2 Institute of Thin Film and Nanometer Materails,Wuyi University,Jiangmen 5

【机构】 南开大学光电子所; 天津大学材料学院; 南开大学光电子所 天津300071; 五邑大学薄膜与纳米材料研究所; 江门529020; 天津300072; 天津300071; 天津300071;

【摘要】 设计了一种将薄膜 a- Si PIN光敏传感单元与 OL ED有机发光显示单元合二为一的新型图像传感显示器件 ;通过对每个单元的分别建模以及叠层器件的串联结构特点 ,对器件单元像素的电流电压特性进行了模拟 .结果表明 :器件驱动电压的降低主要通过增大 OL ED的幂指数因子实现 ;薄膜 a- Si PIN的灵敏度对器件灵敏度有决定性的影响 ;降低 a- Si PIN隙态密度能有效地展宽器件的线性响应区域 ;器件应用领域的不同 ,对 a- Si PIN的并联等效电阻的大小有不同的要求 .

【Abstract】 A novel optical image sensor/display device composed by integrating an a-Si PIN photodiode connected in series but in opposite polarity with an organic light-emitting diode (OLED) is designed and simulated.From the theoretical analysis,following conclusions are obtained:(1) Increasing the power index of OLED can lower the device’s drive voltage;(2) The sensitivity of device mainly depends on the a-Si PIN unit;(3) Decreasing the density of gap state in a-Si PIN can effectively broaden the linear response range of the device;(4) Furthermore,it is necessary to choose different shunt resistance of a-Si PIN for different purpose.

【基金】 国家自然科学基金 (批准号 :6 9876 0 2 2 ,6 0 0 770 11,6 990 70 0 2 );国家重点基础研究 (项目号 :G2 0 0 0 0 2 82 -2 ,G2 0 0 0 0 2 82 -3)资助项目~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2002年08期
  • 【分类号】TP212.1
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】113
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