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采用0.18μm CMOS RF模型的高线性度降频混频电路的设计

A highly linear down-conversion mixer with 0.18μm CMOS RF model

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【作者】 胡伟； 陈金福； 张振勇； 杨莲兴；

【Author】 HU Wei, CHEN Jin-fu, ZHANG Zhen-yong, YANG Lian-xing(ASIC & System State Key Lab, Fudan University,shanghai 200433 ,China)

【机构】 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室； 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433； 上海200433； 上海200433；

【摘要】 介绍了降频混频电路的电路结构及其工作原理, 并且着重分析了一种高线性度的实现方法。电路采用了0.18μm CMOS RF模型, 通过仿真,得出了令人满意的结果.

【Abstract】 The principles of down-conversion mixer are introduced, specially a highly linearstructure. The paper realizes a highly linear mixer with 0.18mm CMOS RF model, and presentssimulation results.

【关键词】 降频混频电路； 高线性度； 0.18μm CMOS； 射频电路；
【Key words】 Down-conversion Mixer； High Linearity； 0.18μm CMOS； RF Circuit；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,2002年12期
  • 【分类号】TN432
  • 【被引频次】5
  • 【下载频次】136
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