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基于无铝单量子阱的大功率半导体激光器

Al-free SQW High-power Semiconductor Lasers

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【作者】 王玲； 李忠辉； 徐莉； 李辉；

【Author】 WANG Ling , LI Zhong hui , XU Li, LI Hui (State Key Lab. on High Power Semicon. Laser, Changchun Univ. of Science and Technol., Changchun 130022, CHN)

【机构】 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室； 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 吉林长春130022； 吉林长春130022； 吉林长春130022；

【摘要】 在改进的带有多槽石墨舟的液相外延 (LPE)设备上 ,采用水平快速生长法获得了分别限制单量子阱结构 (SCH SQW ) ,制作了条宽为 10 0 μm、腔长为 1mm的激光器 ,其阈值电流为0 .70A ,最高连续输出功率达 4W ,斜率效率为 1.32W /A ,串联电阻为 0 .1Ω ,中心波长为 80 8.8nm。

【Abstract】 The InGaAsP/GaAs SCH SQW lasers were fabricated by rapid liquid phase epitaxy with proved multiple sliding boat technique. The measured results of the device show that its threshold current is of the order of 0.70 A, with the CW power of 4 W at peak wavelength of 808.8 nm.

【关键词】 半导体激光器； 单量子阱； 液相外延；
【Key words】 semiconductor lasers； SQW； LPE；
【基金】 总装备部基金资助项目
  • 【文献出处】 半导体光电 ,Semiconductor Optoelectronics , 编辑部邮箱 ,2002年06期
  • 【分类号】TN248.5
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】65
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