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InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对Jth和ηd的影响

Effect of Cavity Length on Jth and ηd of InGaAsP/InGaP/GaAs SQW Lasers

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【作者】 李忠辉； 李梅； 王玲； 高欣； 王玉霞； 张兴德；

【Author】 LI Zhong-hui, LI Mei, WANG Ling, GAO Xin, WANG Yu-xia, ZHANG Xing-de (National Key Lab.of High Power Semiconductor Laser, Changchun Institute of Optics and Fine Mechanics,Changchun 130022,CHN )

【机构】 长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室；

【摘要】 利用LP MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAsSCH SQW结构 ,制作了宽接触条形激光器 ,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值 ;腔长较短时 ,阈值电流密度随腔长的变化而迅速变化

【Abstract】 InGaAsP/InGaP/GaAs SCH SQW lasers are fabricated by LP-MOCVD technology.The effect of cavity length on threshold current density and external differential quantum efficiency is discussed.

【关键词】 分别限制结构； 阈值电流密度； 外微分量子效率；
【Key words】 separate confinement heterostructure； threshold current density； external differential quantum efficiency；
  • 【文献出处】 半导体光电 ,Semiconductor Optoelectronics , 编辑部邮箱 ,2002年02期
  • 【分类号】TN248.4
  • 【被引频次】5
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