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TiO2掺杂对低压ZnO压敏电阻性能的影响

The Effects of TiO2 Content and Process on the Electrical Properties in TiO2-doped ZnO Varistors

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【作者】 张丛春； 周东祥； 龚树萍；

【Author】 ZHANG Cong chun,ZHOU Dong xiang,GONG Shu ping (Dept.of Electronic Science & Technology,Huangzhong University of Science & Technology,Wuhan 430074,China)

【机构】 华中科技大学电子科学与技术系!武汉430074；

【摘要】 研究了 Ti O2 掺杂量及制备工艺对 Zn O压敏电阻性能的影响。Ti O2 掺杂超过一定量时 ,压敏场强就不再降低 ,而非线性系数却一直下降 ,漏流迅速增大 ,使性能劣化。因此 ,要控制 Ti O2 掺杂量在适当范围内。粉料煅烧温度和烧成温度的高低也直接影响 Zn O压敏电阻性能。

【Abstract】 The effects of content of TiO 2 dopant and process on the microstructure and electrical properties were studied.TiO 2 dopant can drastically decrease the breakdown field of the ZnO varistor,but then has little effect on the breakdown field when it surpass 0 3%.Furthmore,the electrical property of ZnO varistor was adjusted by pre firing temperature and sintering temperature.

【关键词】 ZnO； 压敏陶瓷； TiO2； 电性能；
【Key words】 ZnO varistor； grain boundary； TiO 2； electrical property；
  • 【文献出处】 压电与声光 ,Piezoelectrics & Acoustooptics , 编辑部邮箱 ,2001年03期
  • 【分类号】TN384
  • 【被引频次】20
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