节点文献

接近式光刻中斜照明改善分辨率的模拟与分析

Simulation and Analysis of Resolution Enhancement in Proximity Lithography by Off-axis Illumination

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 赵永凯； 黄惠杰； 路敦武； 杜龙龙； 杨良民； 袁才来； 蒋宝财； 王润文；

【Author】 ZHAO Yong-kai,HUANG Hui-jie,LU Dun-wu,DU Long-long, YANG Liang-min,YUAN Cai-lai,JIANG Bao-cai,WANG Run-wen (Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics,The Chinese Academy of Sciences,Shanghai 201800,China)

【机构】 中国科学院上海光学精密机械研究所!上海201800； 中国科学院上海光学精密机械研究所!上；

【摘要】 根据菲涅尔 基尔霍夫衍射公式 ,推导出斜照明接近式光刻系统中硅片表面的光强分布 ,并在几种条件下进行了模拟数值计算 ,分析了斜照技术的实用条件及改善光刻分辨率的效果和应用前景。

【Abstract】 Intensity distribution on the wafer plane in proximity printing system under off-axis illumination is derived based on the amplitude analytic expression for Fresnel-Kirchhoff diffraction.Numerical simulations have been done under various conditions.Resolution enhancement effect by off-axis illumination and its application are analyzed.

【关键词】 接近式光刻； 准分子激光光刻； 分辨率改善； 斜照明；
【Key words】 proximity lithography； excimer laser lithography； resolution enhancement； off-axis illumination；
【基金】 国家自然科学基金资助项目! (6 98780 2 9)
  • 【文献出处】 微细加工技术 ,Microfabrication Technology , 编辑部邮箱 ,2001年02期
  • 【分类号】TN305.7
  • 【被引频次】6
  • 【下载频次】132
打印本页
节点文献中：