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多晶硅薄膜的表面处理工艺

Surface Plasma Passivation of the Polycrystalline Silicon Thin Films by Using NH3 or N2O Gas

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【作者】 曾祥斌； Johnny K O Sin； 徐重阳； 饶瑞；

【Author】 ZENG Xiang-Bin, Johnny K O Sin, XU Zhong-Yang, RAO Rui ( Department of Electronic Science and Technology Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, Chian; Department of Electrical and Electronic Engineering, The Hong Kong University of

【机构】 华中科技大学电子科学与技术系!武汉 430074； 香港科技大学电气与电子工程系；

【摘要】 采用ＮＨ３和Ｎ２Ｏ的等离子体分别对ｐ－Ｓｉ（多晶硅）薄膜表面进行了钝化处理，处理后的 ｐ－Ｓｉ ＴＦＴ（薄膜晶体管）具有比未处理 ＴＦＴ更优越的性能，通电试验与热应力试验后，处理后的器件呈现出更好的承受电负荷和热应力能力，钝化的微观机理是ＮＨ３和Ｎ２Ｏ等离子体中和了ｐ－Ｓｉ薄膜的悬挂键，形成牢固的Ｓｉ－Ｎ键，减少了表面态密度．

【Abstract】 The poly-Si thin film was passivated by using NH3 or N2O plasma before deposition of gate diode. The poly-Si TFTs fabricated with this process have better electrical characteristics than those of conventional poly-Si TFT without NH3 or N2O plasma passivation. These devices also have better hot-carrier endurance and thermal stability. Both the nitrogen pile-up at the Sio2/poly-Si interface and the strong Si-N bond formation to terminate the dangling bonds at the grand boundaries of the poly-St thin film in the channel region are the major causes.

【关键词】 NH3； N2O； 表面钝化； p-Si TFT；
【Key words】 NH3； N2O； surface passivation； poly-Si TFT；
【基金】 与香港科技大学电气与电子工程系合作项目
  • 【文献出处】 无机材料学报 ,Journal of Inorganic Materials , 编辑部邮箱 ,2001年04期
  • 【分类号】TN304.055
  • 【被引频次】9
  • 【下载频次】272
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