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温度对非晶SiO_x薄膜的光致发光特性的影响

The influence of temperature on photoluminescence of SiO_x films

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【作者】 罗经国； 吴雪梅； 诸葛兰剑； 宁兆元； 姚伟国；

【Author】 LUO Jing guo 1,WU Xue mei 2,ZHUGE Lan jian 2,NING Zhao yuan 2,YAO Wei guo 2 (1.Dept. of Photo Electronical Information and Electronics Engin.,Tianjin Univ.of Technology,Tianjin 300191,China; 2.Dept. of Phys.,School of Sci.,Suzhou U

【机构】 天津理工大学光电系!天津300191； 苏州大学理学院物理系!苏州215006；

【摘要】 采用双离子束共溅射法制备的SiOx 薄膜为非晶结构 ,在室温下观察到了可见光致发光 (PL)现象 ,探测到样品有四个PL峰 ,它们的峰位分别为～ 32 0nm ,～ 4 10nm ,～5 6 0nm和～ 6 30nm ,且峰位和峰强随温度 (基片温度Ts 和退火温度Ta)的变化而发生变化 ,并对实验结果进行了讨论

【Abstract】 The SiO x films were prepared by a dual ion beam co sputtering method from a composite target in argon atmosphere.The structure of the films studied by the aid of TEM and XRD is amorphous.The photoluminescence (PL) spectra were found to have 4 luminescent band peak at 320nm,410nm,560nmand 630nm,respectively,at room temperature,and analyze the PL mechanism.

【关键词】 共溅射； SiOx薄膜； 光致发光(PL)；
【Key words】 co sputtering method； SiO x films； photoluminescence(PL)；
  • 【文献出处】 苏州大学学报(自然科学) ,JOURNAL OF SUZHOU UNIVERSITY , 编辑部邮箱 ,2001年03期
  • 【分类号】O484.41
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】37
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