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Sm离子在SrS∶Eu,Sm电子俘获过程中的作用

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【作者】 何志毅； 王永生； 孙力； 侯延冰； 徐叙瑢；

【机构】 北方交通大学光电子技术研究所!北京100044；

【摘要】 测量了SrS∶Eu ,Sm的吸收光谱在陷阱饱和与倒空状态下的差异 ,由此讨论了在陷阱饱和时不同能量位置空穴和电子的分布 ,通过在近红外区Sm3 +的吸收光谱研究了Sm离子价态和数目在激发前后的变化 ,并发现Sm3 +的线状吸收与电子的陷阱→导带的激励吸收光谱存在较强的相消现象 .提出了在SrS∶Eu ,Sm中陷阱的构成机制及Sm3 +离子在其中的地位 ,考察了Sm浓度对光存储量的影响 ,并找到一个提高这种材料光存储量的合理方法 .

【关键词】 电子俘获； 电子陷阱； 光存储； 钐；
【基金】 国家自然科学基金!资助项目 (批准号 :198740 0 1)
  • 【文献出处】 中国科学(A辑) , 编辑部邮箱 ,2001年04期
  • 【分类号】TQ591
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】75
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