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Si基Si1-x-yGexCy合金生长中C的影响

Effects of C on the Growth of Si1-x-y GexCy Alloys on Si （100） Substrates

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【作者】 刘夏冰； 臧岚； 朱顺明； 程雪梅； 韩平； 罗志云； 郑有炓；

【Author】 Liu Xiabing, Zang Lan, Zhu Shunming, Cheng Xuemei, Han Ping, Luo Zhiyun, Zheng Youdou (Physics Department, Nanjing University, Nanjing 210093)

【机构】 南京大学物理系； 南京大学物理系 南京210093； 南京210093； 南京210093；

【摘要】 报道了Si基Si1 x yGexCy 合金生长中C对Ge组分和生长速率的抑制作用 ,提出一个Si、Ge、C原子的排列构型 ,从理论上给出了C对Ge组分的抑制度和Ge/C原子比的关系 ,并指出在富Ge情况下C对Ge的抑制作用会趋向于饱和。

【Abstract】 The suppressive effects of C in the growth of Ge-rich Si 1-x-y Ge xC y alloys on Si (100) substrates. On Ge content and growth rate of the alloys are reported first. A possible mechanism for the suppressive effects is proposed. After the calculations of atomic configuration based on a reasonable hypothesis, the dependence of the suppression degree on Ge/C atom ratio was obtained. A tendency for the suppressive effect to the full extent will apear with increasing Ge concentration in the growth of Si 1-x-y Ge xC y alloys.

【关键词】 Si1xyGexCy合金； 抑制作用； 原子排列；
【Key words】 Si 1-x-y Ge xC y alloys； Suppressive effects； Atomic configuration；
【基金】 国家自然科学基金;教育部博士后基金资助项目
  • 【文献出处】 高技术通讯 ,High Technology Letters , 编辑部邮箱 ,2001年12期
  • 【分类号】TN304.0
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