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巨磁电阻随机存取存储器

Giant Magnetoresistance Random Access Memory

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【作者】 颜冲； 于军； 王耘波； 周文利； 谢基凡； 高俊雄； 周东祥；

【Author】 YAN Chong, YU Jun, WANG Yun-bo, ZHOU Weng-li, XIE Ji-fan, GAO Jun-xiong ZHOU Dong-xiang (Departmet of Electronic Science & Technology, Huazhong University Science & Technology, Wuhan Hubei 430074).

【机构】 华中科技大学电子科学与技术系!湖北 武汉 430074； 华中科技大学电子科学；

【摘要】 用巨磁电阻(GMR)材料制成的磁电子学新器件，已开始在计算机存储领域成功地获得应用。对巨磁电阻用于计算机随机存取存储器的工作原理、性能特点及研究现状和发展趋势作了阐述。

【Abstract】 New magneto-electric components made from giant magnetoresistance (GMR) materials have been successfully applied to computer memories. A brief description is given of its principle, performances, features and further development. (21 refs.)

【关键词】 巨磁电阻； 随机存取存储器； 非易失性；
【Key words】 GMR； RAM； Non-volatile；
【基金】 国家自然科学基金资助项目!(69801003)
  • 【文献出处】 电子元件与材料 ,Electronic Components $ Materials , 编辑部邮箱 ,2001年02期
  • 【分类号】TP333
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