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用分子束外延制备红外锑化物激光器和探测器材料

MBE GROWN ANTIMONIDE MID-INFRARED LASERS AND PHOTODETECTORS

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【作者】 李爱珍； 郑燕兰； 林春；

【Author】 LI Aizhen, ZHENG Yanlan, LIN Chun (State Key Lab of Function Materials for Informatics, Shanghai Institute of Metallurgy, The Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050)

【机构】 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室；

【摘要】 用固态源分子束外延方法，在 ＧａＳｂ衬底上成功地生长出四元系 Ⅲ—Ｖ族锑化物单层、多量子阱和激光器、探测器结构材料，并用这些材料制备了 ２μｍ波段室温准连续奔波导 ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ多量子阱。

【Abstract】 Quaternary antimonides including single layers and multiple quantum wells for midinfrared lasers and detectors were successfully grown on GaSb substrate by solid source molecular beam epitaxy. 2um AIGaAsSb/InGaAsSb multiple quantum well were also fabricated.

【关键词】 中红外； 锑化物； 分子束外延；
【Key words】 mid-infrared； antimonide； molecular beam epitaxy；
【基金】 八六三计划新材料领域资助项目!863—715—001—141
  • 【文献出处】 材料研究学报 ,Chinese Journal of Material Research , 编辑部邮箱 ,2001年01期
  • 【分类号】TN248
  • 【被引频次】8
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