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多晶硅太阳电池的氮化硅钝化

SiN_x∶H passivation of polycrystalline silicon solar cell

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【作者】 杨宏； 王鹤； 陈光德； 于化丛； 奚建平；

【Author】 YANG Hong,WANG He,CHEN Guang de (Institute of Solar Energy,Xian Jiaotong University.Xian 710049,China) YU Hua cong,XI Jian ping (Institute of Nanometer,Shanghai Jiaotong University,Shanghai 200030,China)

【机构】 西安交通大学太阳能研究所； 上海交通大学纳米研究院； 上海交通大学纳米研究院 陕西西安710049； 陕西西安710049； 上海200030； 上海200030；

【摘要】 全面介绍了等离子增强化学汽相沉积 ( PECVD)纳米氮化硅 ( Si Nx∶ H)光电薄膜的技术发展及现状 ,分析了 PECVD法沉积的 Si Nx∶ H薄膜对多晶硅太阳电池的体钝化和表面钝化机理

【Abstract】 This paper generally reports the present status and development of nanometer silicon nitride photoelectric thin film fabricated by plasma enhanced chemical vapour deposition(PECVD),and analyses the mechanism of surface and bulk passivating antireflection coating for polycrystalline silicon solar cell.

【关键词】 等离子增强化学汽相沉积； 太阳电池； 氮化硅；
【Key words】 plasma enhanced chemical vapour deposition； solar cell； silicon nitride；
  • 【文献出处】 半导体情报 ,Semiconductor Information , 编辑部邮箱 ,2001年06期
  • 【分类号】TM914
  • 【被引频次】8
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