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半导体量子阱材料

Seminconductor quantum well material

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【作者】 张臣；

【Author】 ZHANG Chen (The 46th Electronic Research Institute,Tianjin 300192,China)

【机构】 电子四十六所 天津300192；

【摘要】 综述了半导体量子阱材料的最新发展动态和发展趋势

【Abstract】 The latest progress and trend of semiconductor quantum well materials are reviewed in this paper.

【关键词】 二维激子； 量子阱； 稀磁半导体；
【Key words】 two dimension exciton； quantum well； diluted magnetic semiconductor；
  • 【文献出处】 半导体情报 ,Semiconductor Information , 编辑部邮箱 ,2001年06期
  • 【分类号】TN304.2
  • 【被引频次】4
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