节点文献

a—SiC/c—Si异质结太阳能电池中a—SiC:H薄膜的设计分析

Analysis of the design for a-SiC:H thin films in a-SiC/c-Si heterojunction solar cells

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 林鸿生； 段开敏； 马雷；

【Author】 LIN Hong-sheng, DUAN Kai-min, MA Lei (Department of Physics, University of Science and Technology of China, Hefei 230026,China)

【机构】 中国科学技术大学物理系； 中国科学技术大学物理系 安徽　合肥230026； 安徽　合肥230026； 安徽　合肥230026；

【摘要】 通过应用 Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解 Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡 ｐ＋（ａ－ＳｉＣ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析。给出了ｐ＋（ａ－ＳｉＣ：Ｈ）膜厚及其ｐ型掺杂浓度设计，还讨论了ｐ＋（ａ－ｓｉＣ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结太阳能电池稳定性。

【Abstract】 A computer simulation model of p+(a-SiC:H)/n(c-Si) heterojuncion solar cells at thermodynamic equilibrium using a Scharfetter-Gummel solution of Poisson’s equation has been developed. From results, the design of optimum thickness and p-type dopping concentration in the manufacture of p+(a-SiC:H)/n(c-Si) heterojuncion solar cells is analyzed. A design for the thick-ness and p-type dopping concentration of p+(a-SiC:H) thin films is preseated. Also, the stability of p+(a-SiC:H)/n(c-Si) heterojunction solar cells is discussed。

【关键词】 异质结太阳能电池； Newton-Raphson解法； a-SiC:H隙态密度分布； 载流子收集；
【Key words】 heterojunction solar cell； newton-raphson solution technique； density of states in a-SiC:H； carrier collection；
【基金】 国家自然科学基金（69876024）
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,2001年12期
  • 【分类号】TM914
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】247
打印本页
节点文献中：