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PtSi红外探测器截止波长延长研究

Study on Extension of Cut off Wavelength of PtSi Infrared Detectors

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【作者】 刘爽； 杨家德； 刘飒； 宁永功； 陈艾；

【Author】 LIU Shuang 1, YANG Jia de 1, LIU Sa 2, NING Yong gong 3, CHEN Ai 3 (1. Chongqing Optoelectronics Research Institute, Chongqing 400060, China; 2.North China Research Institute of Electro optics, Beijing 100015, China; 3.Inst.of Information Mat

【机构】 重庆光电技术研究所!重庆400060； 华北光电技术研究所!北京100015； 电子科技大学信息材料工程学院!四川成都610054；

【摘要】 讨论了将PtSi红外探测器截止波长延长的理论基础 ,并介绍了采用在衬底掺入Tl+和Ir+,MBE生长P+层以及低能离子注入B+,In+来延长PtSi红外探测器截止波长的三种方法

【Abstract】 The basic theory of the extension of cut off wavelength of PtSi infrared detectors is discussed.Three methods are introduced including Tl + and Ir + doping, MBE growth of P +layer and B +, In + low energy ion implantation.

【关键词】 PtSi红外探测器； 掺杂； MBE； 低能离子注入；
【Key words】 PtSi infrared detector； doping； MBE； low energy ion implantation；
  • 【文献出处】 半导体光电 ,Semiconductor Optoelectronics , 编辑部邮箱 ,2001年02期
  • 【分类号】TN362
  • 【被引频次】2
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