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Ga N,Al N和 BN(110 )表面反常弛豫的电子结构计算

Calculation of Electronic States of GaN, AlN and BN(110) Abnormal Surface Relaxation

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【作者】 贾瑜； 顾华伟； 李新建； 姚乾凯； 魏英耐； 马丙现； 胡行；

【Author】 JIA Yu 1,GU Hua wei 1,2 ,LI Xin jian 1,YAO Qian kai 1,WEI Ying nai 1,MA Bing xian,HU Xing 1 (1.School of Physics & Technology, Material and Physics Research Laboratory, Zhengzhou University; (2.Fundamental and Applied Science Research

【机构】 郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室!郑州450052,郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室!郑州450052； 河南省基础及应用科学研究所郑州450052,郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室!郑州450052,郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室!郑州450052,郑州大学物理工程学；

【摘要】 在紧束缚模型框架下采用形式散射理论方法计算了具有闪锌矿结构的化合物半导体 Ga N,Al N和 BN(110 )反常弛豫表面的表面电子结构 ,讨论了表面弛豫对表面电子结构的影响 ,并将结果同 Ga As(110 )表面的表面电子结构作了比较 .

【Abstract】 Based on the tight binding scattering theoretical method, the electronic states of abnormal surface relaxation GaN, AlN and BN(110) surface are calculated. The influences of the relaxation on the surface electronic states are discussed and the results are compared with those of GaAs(110).

【关键词】 散射理论； 紧束缚模型； 反常弛豫； 表面电子结构； GaN(110)表面； AlN(110)表面； BN(110)表面；
【Key words】 scattering theory； tight binding models； abnormal relaxation； surface electronic states； GaN(110)； AlN(110)； BN(110)；
【基金】 河南省教委和河南省科委自然科学基金资助的课题
  • 【文献出处】 郑州大学学报(自然科学版) ,JOURNAL OF ZHENGZHUOU UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE EDITION) , 编辑部邮箱 ,2000年01期
  • 【分类号】O472
  • 【下载频次】95
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