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功率MOS器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟

PSPICE Simulation for Single Event Gate Rupture of Power MOSFET

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【作者】 唐本奇； 王燕萍； 耿斌； 陈晓华；

【Author】 TANG Ben qi, WANG Yian ping, GENG Bin, CHEN Xiao hua(Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China)

【机构】 西北核技术研究所!陕西西安710024；

【摘要】 建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 ,表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的

【Abstract】 A new model is established to make simulation for single event gate rupture of power MOSFETs in use of PSPICE circuit simulation software. The application results have a very good agreement with the corresponding data in published articles.

【关键词】 功率MOS器件； 单粒子栅穿； PSPICE电路模拟；
【Key words】 power MOSFET； single event gate rupture； PSPICE circuit simulation；
  • 【文献出处】 原子能科学技术 ,ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,2000年02期
  • 【分类号】TL99
  • 【被引频次】1
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