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2.4μm GaInAsSb红外探测器台面腐蚀研究

The Investigation of Mesa Etching for 2 .4μm GaInAsSb Infrared detectors

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【作者】 梁帮立； 夏冠群； 富小妹； 程宗权；

【Author】 Liang Bangli (Department of physics and technology, Suzhou University, Suzhou,215006) Xia Guanqun, Fu Xiaomei, Cheng Zongquan National Laboratory of Solid Devices and Systems Shanghai Institute of Metallurgy, Chinese Academy of Science, Shanghai 200050

【机构】 苏州大学物理系!苏州； 215006； 中国科学院上海冶金研究所固体元器件与系统研究室!上海； 200050；

【摘要】 本文提出了适于２．μｍ　ＧａＩｎｓＳｂ台面结构探测器制备的ＨＦ／Ｈ２Ｏ２／ Ｃ４Ｈ６Ｏ６／Ｈ２Ｏ腐蚀液体系，并确定了合适的成分配比。实验结果表明，该腐蚀液 体系对ＧａＩｎＡｓＳｂ材料腐蚀速度适中、侧向腐蚀小、不破坏光刻胶保护、腐蚀面 平整、腐蚀槽齐整、受外延付表面质量影响较小。

【Abstract】 The mesa etching of 2 .4μm GaInAsSb infrared detectors has been investigated in this present work, a etchant consisting of hydrofluoric acid, hydroge peroxide, tartic acid and water for the chemical etching GaInAsSb/GaSb materials has been proposed and a suit- able ratio of this etchant for fabricating 2.4μm GaInAsSb infrared detectors has been deter- mined by experiment results. This will be better the surface passivation of GaInAsSb in- frared detectors.

【关键词】 GaInAsSb； 红外探测器； 台面腐蚀；
【Key words】 GaInAsSb； Infrared detectors； Mesa etching；
【基金】 国家863高技术研究发展计划!课题代号863－715－0152
  • 【文献出处】 微电子技术 ,Microelectronic Technology , 编辑部邮箱 ,2000年04期
  • 【分类号】TN21
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