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多晶硅薄膜的等离子氢化新工艺

A Novel Plasma Hydrogenation Technique for Polycrystalline Silicon Thin Films

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【作者】 曾祥斌； 徐重阳； JohnnyK.O.Sin； 王长安； 赵伯芳； 周雪梅； 张洪涛； 饶瑞；

【Author】 ZENG Xiang-bin 1, XU Zhong-yang 1, Johnny K.O.Sin 2, WANG Chang-an 1, ZHAO Bo-fang 1, ZHOU Xue-mei 1, ZHANG Hong-tao 1, RAO Rui 1 (1.Dept.Electronic Science and Technology, Huazhong University of Scie nce and Technology, Wuhan,Hubei, P. R.

【机构】 华中理工大学电子科学与技术系!湖北武汉； 430074； 香港科技大学电气与电子工程系!香港九龙； 清水湾； 华中理工大学电子科学与技术系!?；

【摘要】 根据多晶硅薄膜氢化的微观机理 ,提出改进氢化效果的工艺方法。在不增加设备投资的情况下 ,采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果 ,从而提高薄膜晶体管的性能 ,ION/ IOFF从1 0 3量级增加到 1 0 5量级 ,氢化工艺的处理时间也相应缩短。

【Abstract】 The plasma hydrogenation mechanism of poly-Si thin film is investig ated and a novel hydrogenation technique for poly-Si thin film was presented. Using this technique, hydrogenation of poly-Si thin film is effectively enhanc ed and performances of poly-Si TFTs are improved. I ON/ I OFF of the poly-Si TF T is raised from 10 3 to 10 5. And the hydrogenation time is also reduc ed.

【关键词】 多晶硅薄膜； 氢化工艺； 薄膜晶体管； 等离子氢化；
【Key words】 Poly-silicon film； Hydroge nation； Plasma hydrogenation； Thin film transistor；
  • 【文献出处】 微电子学 ,Microelectronics , 编辑部邮箱 ,2000年06期
  • 【被引频次】1
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