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CVD淀积SiC薄膜SiH4、CH4的分解反应的计算机模拟研究

Computing Simulation of Decomposition of SIH4 and CH4 in SiC Films

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【作者】 张洪涛； 许辉； 徐重阳； 邹雪城； 王长安； 赵伯芳； 周雪梅；

【Author】 ZHANG Hong tao, XU Hui, XU Zhong yang, ZOU Xue cheng, WANG Chang an, ZHAO Bo fang, ZHOU Xue mei (Dept.of Electronics Science and Technology,Huazhong University of Science and Technology,Wuhan,430074,China)

【机构】 湖北工学院电气工程与计算机科学系!湖北武汉430074； 湖北工学院电气?；

【摘要】 采用化学气相淀积 ( CVD)淀积 Si C薄膜中 Si H4、CH4的分解反应方程对 Si H4、CH4的分解产物种属进行数学建模 ,并结合相关热力学数据进行计算机模拟 ,得出 Si H4分解产物中以 Si H2 为最多 ,CH4以 CH2 为最多 ,表明它们在淀积薄膜中是主要因素。

【Abstract】 The decomposing mechanism of SiH 4 and CH 4 in nc SiC film by CVD was discussed.After the reaction equations were determined by collecting previous chemical data, the computing simulation was carried out. The results show that the SiH 2 and CH 2 are main factors in deposition of nc SiC films.

【关键词】 数值模拟； 化学气相淀积； 分解反应； SiC薄膜；
【Key words】 computing simulation； chemical vapor deposition； decomposing reaction； nc-SiC film；
  • 【文献出处】 计算机与现代化 ,COMPUTER AND MODERNIZATION , 编辑部邮箱 ,2000年03期
  • 【分类号】TP391.9
  • 【被引频次】4
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