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LBO晶体的生长缺陷研究

RESEARCH ON THE GROWTH DEFECT OF LBO CRYSTAL

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【作者】 刘希玲； 牟其善； 张杰； 徐忠彬；

【Author】 Liu Xiling 1, Mou Qishan 1, Zhang Jie 1, Xu Zhongbin 2 (1. Department of Math and Physics, Shandong Institute of Education, Jinan 250013;2. Institute of Materials, Shandong Industry University, Jinan 250061)

【机构】 山东教育学院数理系!济南250013； 山东工业大学材料学院!济南250061；

【摘要】 采用化学腐蚀光学显微法和同步辐射截面形貌术研究了三硼酸锂 (LBO)晶体的生长缺陷 ,实验结果表明 ,LBO晶体中的主要缺陷是位错、包裹物和扇形界 .讨论了这些缺陷形成的原因和降低缺陷的措施 .

【Abstract】 The growth defects of LBO crystals were investigated by methods of optical micrography and white_beam synchrotron radiation topography (WBSRT). The results indicate that the main defects in LBO crystal are dislocation, inclusion and sector boundary. The causes of forming the defects and the measures for improving the quality of crystals have been discussed.

【关键词】 三硼酸锂晶体； 同步辐射截面形貌术； 位错； 包裹物；
【Key words】 lithium triborate crystal； white_beam synchrotron radiation topography； dislocation； inclusion；
【基金】 山东省自然科学基金!资助项目 (Y98A1 50 1 8);山东大学晶体材料国家实验室开放经费资助
  • 【文献出处】 硅酸盐学报 ,JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY , 编辑部邮箱 ,2000年04期
  • 【分类号】O77
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】211
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