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用离子注入的方法实现InGaAs/InGaAsP激光器材料的量子阱混合

Quantum well intermixing of InGaAs/InGaAsP laser－ structure using ion implantation

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【作者】 刘超； 李国辉； 韩德俊；

【Author】 LIU Chao, LI Guo－ hui, HAN De－ jun (Institute of Low－ Energy Nuclear Physics, Beijing Normal University, Beijing 100875, China)

【机构】 北京师范大学低能核物理研究所!北京市辐射中心； 北京100875；

【摘要】 为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合，选用1～2MeV、1×1013～5×1013cm－2的P＋离子注入到InGaAs/InGaAsP分别限制多量子阱（SCH－MQW）激光器结构，在700oC下快速热退火90s。发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm。蓝移的大小随着注入能量和剂量的增大而增大，并且能量比剂量对蓝移的影响更大。

【Abstract】 In this paper, a very successful technique that uses phosphorus ion implantation to enhance the interdiffusion of QW in InP based laser structure was described. Room－ temperature photoluminescence (PL) spectra was obtained on the samples. PL emission peaks of the samples varies with dose and energy of implantation. PL spestra are blue－ shifted in wavelength from 9nm to 89nm.

【关键词】 量子阱混合； 波长蓝移； InGaAs/InGaAsP； 光致发光谱；
【Key words】 Quantum well intermixing； Blue－ shift in wavelength； InGaAs/InGaAsP； PL spectra；
【基金】 国家自然科学基金;北京新星计划资助项目
  • 【文献出处】 功能材料与器件学报 ,JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES , 编辑部邮箱 ,2000年03期
  • 【分类号】TN248
  • 【下载频次】59
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