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化学溶液沉积法制备的Bi4Ti3O12铁电薄膜的电学性能研究

Electrical Properties of Bi4Ti3O12 Thin Films Prepared by Chemical Solution Deposition Technique

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【作者】 吴显明； 王弘； 王卓； 尚淑霞； 王民；

【Author】 WU Xianming,WANG Hong,WANG Zuo,SHANG Shuxia,WANG Min (State Key Laboratory of Crystal Materials,Shandong,Univeristy,Ji′nan,250100,China)

【机构】 山东大学晶体材料国家重点实验室!山东济南250100；

【摘要】 采用化学溶液沉积工艺在电阻率为 6～ 9Ω·cm的n -Si(10 0 )衬底上生长Bi4Ti3O1 2 铁电多晶膜 ,研究了薄膜的电学性能 ,结果表明在 6 50℃下退火 1h得到的Bi4Ti3O1 2 薄膜具有良好的介电和铁电性能 ,其介电常数ε =12 9,剩余极化Pr=5.1μC/cm2 ,矫顽电场Ec=96kV/cm。

【Abstract】 Polycrystalline Bi 4Ti 3O 12 thin films were prepared by chemical solution deposition technique on n-Si(100) (ρ =6～9Ω·cm).The dielectric constant and dielectric loss at 100kHz were 129 and 0.06 respectively for the films annealed at 650℃ for 1h,its remanent polarization (P r) was 5.1μC/cm 2,coercive field (E c) was 96kV/cm.

【关键词】 化学溶液沉积； 铁电薄膜； 介电常数； 电滞回线；
【Key words】 CSD； ferroelectric thin film； dielectric constant； hysteresis loops；
  • 【文献出处】 功能材料 ,JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS , 编辑部邮箱 ,2000年S1期
  • 【分类号】TM223
  • 【被引频次】8
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