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提高掺Er硅发光效率的途径与前景

Current Status and Prospect of Investigation on Luminescence of Erbium-doped Silicon

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【作者】 肖志松； 徐飞； 张通和； 程国安； 杨锡震； 顾岚岚； 王迅；

【Author】 Xiao Zhisong Xu Fei Zhang Tonghe Cheng Guoan Yang Xizhen Gu Lanlan Wang Xun( Key Laboratory for Radiation Beam Technology and Materials Modification,Beijing Normal University;Institute of Low Energy Nuclear Physics .Beijing Normal University ;Beijing Radiation Center .Beijing 100875)( Department of Materials Science and Engineering .Nanchang University .Nanchang 330047)( Center of Analytical and Testing,Beijing Normal University .Beijing 100875)( Surface Physics Laboratory ,Fudan University .Shanghai 200433)

【机构】 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室； 南昌大学材料科学与工程系； 北京师范大学分析测试中心； 复旦大学应用表面物理国家重点实验室； 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 北京师范大学低能核物理研究所； 北京 100875； 南昌 330047； 北京师范大学低能核物理研究所； 上海 200433； 上海 200433；

【摘要】 阐述了掺Er硅发光的研究意义和现状,总结了掺Er硅的材料性能、发光机理、提高发光效率的途径、制备方法,以及掺Er硅LEDs器件的行为和未来展望。

【Abstract】 The importance and current status of study on luminescence of Erbium-doped silicon is expatiated. A summarized review is given for some aspects including materials properties .luminescence mechanism .luminescence efficiency ,and experimental methods for Er-doped Si- Moreover .device performances and futrue study on luminescence of Er-dopde Si is discussed

【关键词】 掺Er硅； 发光； 发光效率；
【Key words】 Er-doped silicon .luminescence .luminescence efficiency；
【基金】 国家自然科学基金(59671051);复旦大学应用表面物理国家重点实验室基金
  • 【文献出处】 材料导报 ,Materials Review , 编辑部邮箱 ,2000年10期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】4
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