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旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡

Low-Frequency Oscillation of MESFET Channel Current Under Sidegating Bias

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【作者】 丁勇； 赵福川； 毛友德； 夏冠群； 赵建龙；

【Author】 DING Yong\+1, ZHAO Fu-chuan\+2, MAO You-de\+1, XIA Guan-qun\+2 and ZHAO Jian-long\+2(1\ Department of Applied Physics,Hefei University of Technology, Hefei\ 230009, China) (2\ Shanghai Institute of Metallurgy, The Chinese Academy of Sciences, Shanghai\

【机构】 合肥工业大学应用物理系!合肥230009； 中国科学院上海冶金研究所!上海200050；

【摘要】 通过测试不同旁栅电压条件下的 MESFET沟道电流的低频振荡现象 ,发现旁栅偏压无论朝正向还是负向变化都存在一个阈值可消除此低频振荡 .并从理论上探讨了出现这种现象的原因 ,初步认为这与沟道 -衬底 (C- S)结的特性和高场下衬底深能级 EL2 的碰撞电离有关

【Abstract】 The low-frequency oscillation of channel current by test ing the MESFET output characteristic in different sidegating bias conditions is presented.It is found that whether the sidegating bias changes positively or negatively,there is always a threshold voltage to eliminate the oscillation.The pheno menon is related to the Channel-Substrate (C-S) junction properties and the impact ionization of traps-EL2 in high fields.

【关键词】 低频振荡； 沟道-衬底结； EL2碰撞电离；
【Key words】 low-freqneucy osillation； channel-substrate (C-S) junction； ionization of traps-EL2?；
【基金】 国家自然科学基金资助项目!( 696760 0 3)&&
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2000年12期
  • 【分类号】TN304.2+3
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】22
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