节点文献

纳米晶SnO2气敏薄膜的制备与表征

Preparation and Characterization of Nanocrystalline SnO2 Thin Film

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 索辉向思清朱玉梅阮圣平张彤刘冰冰徐宝琨王立军

【Author】 SUO Hui 1,2 , XIANG Si\|qing 1, ZHU Yu\|mei 1,RUAN Sheng\|ping 1, ZHANG Tong 1,LIU Bing\|bing 2,XU Bao\|kun 1 and WANG Li\|Jun 3( 1 State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Jiling University Region ,Department of Electroni

【机构】 吉林大学电子工程系集成光电子国家重点联合实验室吉林大学分区!长春130023吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春130023,吉林大学电子工程系集成光电子国家重点联合实验室吉林大学分区!长春130023,吉林大学电子工程系集成光电子国家重点联合实验室吉林大学分区!长春130023,吉?

【摘要】 以 Sn( OH) 4 水合胶体为原料 ,采用溶胶 -凝胶方法在 Si片上制备了 Sn O2 纳米晶薄膜 ,利用差热、热重、X光衍射以及原子力显微镜对薄膜的合成以及特性进行了分析 ,结果表明 :在60 0℃条件下烧结结晶的纳米晶薄膜表面平整 ,具有金红石结构 ,平均粒度在 1 0 nm左右 .以该薄膜为敏感体采用平面工艺制成的 FET式气敏元件在常温下对乙醇蒸汽具有非常好的选择性 .

【Abstract】 Selecting Sn(OH) 4 colloid as raw material,the thin nanocrystalline SnO 2 film is successfully fabricated on the silicon substrate by Sol\|gel method. Synthesizing procedure and the characteristic of the films are analyzed by DTA, TG, XRD and AFM techniques. The results show that at the temperature of 600℃, the film has a perfect surface and rutile structure with the grain size being around 10nm. The FET gas sensor fabricated with this kind of nanocrystalline film gate is found to be of good selectivity to the ethanol gas at room temperature.

【关键词】 SnO2纳米晶气敏特性场效应管
【Key words】 SnO2nanocrystallinegas sensitivityfield effect transistor
【基金】 国家自然基金资助项目!(编号为 69774 0 2 7)
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,2000年08期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】7
  • 【下载频次】162
节点文献中: