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Au-GaN肖特基结的伏安特性

I\V Characteristics of Au\|GaN Schottky Junction\+*

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【作者】 林兆军； 张太平； 武国英； 王玮； 阎桂珍； 孙殿照； 张建平； 张国义；

【Author】 LIN Zhao\|jun, ZHANG Tai\|ping, WU Guo\|ying, WANG Wei, YAN Gui\|zhen, SUN Dian\|zhao 1, ZHANG Jian\|ping 1 and ZHANG Guo\|yi 2(Institute of Microelectronics, Peking University,Beijing\ 100871, China) (1\ Institute of Semiconductors,The Chinese Acad

【机构】 北京大学微电子所!北京100871； 中国科学院半导体研究所新材料部!北京100083； 北京大学物理系!北京100871；

【摘要】 在 MBE和 MOCVD两种方法制备的 n- Ga N材料上制作了 Au- Ga N肖特基结 ,测定了肖特基结的室温 I- V特性 .分析表明 :Ga N材料的载流子浓度对肖特基结的特性有很大的影响

【Abstract】 Au\|GaN Schottky junction has been fabricated on n\|GaN materials by MOCVD and MBE.I\|V characteristics of the Schottky junctions have been determined at room temperature.It is shown that Schottky junction characteristics are seriously affected by the carrier concentration of GaN materials.

【关键词】 MBE； MOCVD； GaN； 肖特基结； 伏安特性；
【Key words】 MBE； MOCVD； GaN； Schottky junction； I\|V characteristics；
【基金】 国家“九五”科技攻关资助项目
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,2000年04期
  • 【分类号】TN311.7
  • 【被引频次】5
  • 【下载频次】309
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