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高性能a-Si∶HTFT开关器件的研制

Preparation of High Performance a Si∶H TFT Devices

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【作者】 袁剑峰； 杨柏梁； 朱永福； 李牧菊； 刘传珍； 吴渊； 廖燕平； 王刚； 邵喜斌； 刘宏武； 黄锡珉；

【Author】 YUAN Jian feng, YANG Bai liang, ZHU Yong fu, LI Mu ju, LIU Chuan zhen, WU Yuan, LIAO Yan ping, WANG Gang, SHAO Xi bin, LIU Hong wu *,HUANG Xi min (Changchun Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, North Liquid Crystal Engineeri

【机构】 中国科学院长春物理研究所北方液晶工程研究开发中心!吉林长春130021；

【摘要】 介绍了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作。研制了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 单管器件， 其开关电流比达到 ６ 个数量级， 为最终研制ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ Ａ Ｍ Ｌ Ｃ Ｄ 视频图像显示器奠定了坚实的基础。

【Abstract】 The study of the active layer, the insulator layer, the ohmic contact layer, and the interface of a Si∶H/a  SiN x ∶H in a Si TFT devices were presented in this paper The single a Si TFT device was prepared, which ratio of on to off current reached to six orders of magnitude This work laid a solid foundation for a Si∶H TFT AM LCD used for video display

【关键词】 a-Si∶HTFT开关器件； 有源层； 栅绝缘层； 界面特性；
【Key words】 a Si∶H TFT； active layer； gate insulator； interface；
【基金】 中国科学院 “九五”重大项目;吉林省“九五”科技攻关项目资助
  • 【文献出处】 液晶与显示 ,CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS , 编辑部邮箱 ,1999年03期
  • 【分类号】TM56
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】153
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