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组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用

Combinatorial ion beam technique and its application to the study of silicon-based material chips

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【作者】 陈昌明； 潘浩昌； 黄建鸣； 朱德彰； 曹建清； 叶伯年； 胡钧； 李民乾；

【Author】 CHEN Changming; PAN Haochang; HUANG Jianming ;ZHU Dezhang; CAO Jianqing ;YE Bonian ;HUJun LIMinqian; (Shanghai institute of Nuclear Research, the Chinese Academy of Sciences, shanghai 201800)

【机构】 中国科学院上海原子核研究所!核分析技术开放实验室!上海201800； 中国科学院上海原子?；

【摘要】 将组合技术和离子束技术结合起来，用于硅基发光材料的研究。用组合离子束技术在硅 基材料上制备了６４个直径为２ｍｍ的单元──材料芯片，并对硅基材料芯片各单元进行了卢瑟辐 背散射、质子弹性散射和扫描阴极射线发光特性分析。

【Abstract】 The combinatorial ion beam implantation technique has been applied to synthesize a silicon-based material chip with 64 samples of 2 mm diameter size on it. The Rutherford backscattering spectrometry and photon elastic scattering were used to analyse the samples on the chip.The depth-resolved cathodoluminescence measurement of the samples has provided some clues for optical properties correlated with the impurity distribution in the material.

【关键词】 组合技术； 离子束技术； 材料芯片；
【Key words】 Combinatorial technique； Ion beam technique； Material chip；
【基金】 国家自然科学基金;中国博士后基金;上海博士后基金;中国科学院核分析技术开放实验室资助
  • 【文献出处】 核技术 ,NUCLEAR TECHNIQUES , 编辑部邮箱 ,1999年02期
  • 【分类号】TN305
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