节点文献

Gd膜在Ni(110)上生长的同步辐射研究

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 朱俊发； 徐法强； 孙玉明； 王险峰； 徐彭寿； 庄叔贤；

【机构】 中国科学技术大学化学物理系； 国家同步辐射实验室!合肥230026； 中国科学技术大学化学物理系!联系人；

【摘要】 应用同步辐射 (hν =10 0eV)和XPS研究了稀土金属Gd室温下在清洁的Ni(110 )表面上的生长过程 .发现了随着Gd膜厚度的增加 ,Gd(4f)谱带由位于 8 5eV的单峰向位于 8 5和 10 8eV的双峰结构转变 .Gd(4d)峰亦有类似的结果 .该表面在 6 0 0K高温退火引起了Gd 4f和 4d双峰中的高结合能峰的强烈衰减和消失 .对室温下Gd在Ni(110 )面上的生长模式及在高覆盖度时生成的Gd 4f和 4d高结合能峰的本质进行了讨论 .

【关键词】 Gd膜； 同步辐射； Ni(110)表面；
【基金】 国家自然科学基金!(批准号 :2 947312 9);合肥国家同步辐射实验室基金!(批准号 :934 8)资助项目
  • 【文献出处】 科学通报 , 编辑部邮箱 ,1998年10期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】33
打印本页
节点文献中：