节点文献

初探化学合成制粉工艺对ZnO压敏电阻U1mA/mm值的影响

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 费自豪； 王志宏； 吴光劲； 樊远鉴； 杨光棣；

【机构】 贵州省冶金化工研究所!贵阳550002；

【摘要】 用电子探针对比观测了采用化学共沉淀法制粉和机械混合法制粉的压敏电阻的微观结构；得出化学合成制粉工艺使压敏电阻U1mA／mm升高的原因是由于粉料组分的均匀分布使得其晶界组分的浓度均匀且高于机械混合制粉阀片中的晶界组分贫化区浓度，从整体上抑制了烧结过程中的晶粒长大。

【关键词】 化学合成法； ZnO压敏电阻粉料； U1mA／mm值；
  • 【文献出处】 电瓷避雷器 ,INSULATORS AND SURGE ARRESTERS , 编辑部邮箱 ,1998年01期
  • 【分类号】TM2
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】40
打印本页
节点文献中：