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自动张量低能电子衍射对GaAs()-(2×2)表面结构的研究

Surface Structure Analysis of GaAs (1 1 1) (2×2) With Automated Tensor Low Energy Electron Diffraction

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【作者】 邓丙成； 徐耕； 余招贤；

【Author】 Deng Bingcheng, Xu Geng, Yu Zhaoxian (Department of Physics, Zhongshan University, Guangzhou 510275)

【机构】 中山大学物理系；

【摘要】 本文通过对ＧａＡｓ（１１１）－（２×２）表面低能电子衍射（ＬＥＥＤ）Ｉ－Ｖ曲线的分析，首次定量地给出了该表面的复杂结构．结构的主要特征是Ａｓ三聚体单元吸附在表面Ｔ４位置并与下面的Ａｓ原子相键接，且表面存在较大的表面弛豫．对１０个非等价衍射束理论和实验强度曲线之间的比较得到很好的结果．

【Abstract】 Abstract GaAs (1 1 1) (2×2) surface structure has been solved quantitatively by analysis of tensor low energy electron diffraction(TLEED) spectra. The As trimers adsorbed on the T 4 site position and the large buckling of surface atoms characterize this reconstruction keeping reasonable bond lengths. The intensities of 10 nonequivalent beams are compared with a good level of agreement between the calculation and experiment.

【关键词】 低能电子衍射； 表面弛豫； 三聚体； 可靠性因子； 复合层； 强度曲线； 表面结构； 键接； 子相； 原子比；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1998年12期
  • 【分类号】TN304.230.1,O766.4
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