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掺施主杂质半导体中LO声子的反对称光电导响应的Monte Carlo模拟

Monte Carlo Simulation for Photoconductivity Response of LO Phonon in Shallow Donor Doped Semiconductors

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【作者】 陈张海； 陈忠辉； 刘普霖； 石晓红； 史国良； 胡灿明； 沈学础；

【Author】 Chen Zhanghai, Chen Zhonghui, Liu Pulin, Shi Xaiohong, Shi Guoliang, Hu Canming, S. C. Shen(National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, The Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083)

【机构】 中国科学院上海技术物理研究所；

【摘要】 本文基于一个伴随ＬＯ声子发射的光激发电子被重新俘获的物理模型，采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法，对掺施主杂质的半导体光电导谱中与ＬＯ声子相对应的反对称谱峰结构进行了理论模拟，并与Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ及ＩｎＰ的实验结果作了比较．

【Abstract】 Abstract Based on the physical model of the photoexcited electrons being recaptured by the ground state of the hydrogenic donors when a LO phonon is emitted, Monte Carlo simulation of the asymmetric photoconductivity structure situated at the energy position of LO phonon in shallow donor doped semiconductors is reported in this paper. The good agreement between the theoretical result and the experimental data of Si doped GaAs and InP indicates that our model is reliable.

【关键词】 施主杂质； Carlo； LO； Monte； 反对称； 声子； 光电导； 物理模型； 杂质能级； 入射光子；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1998年06期
  • 【分类号】O242.1,O472.8
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