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GaN/6H-SiC紫外探测器的光电流性质研究

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【作者】 臧岚； 杨凯； 张荣； 沈波； 陈志忠； 陈鹏； 周玉刚； 郑有炓； 黄振春；

【机构】 南京大学物理系；

【摘要】 本文研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在６Ｈ－ＳｉＣ衬底上的ＧａＮ外延薄膜制成的光导型紫外探测器的光电流性质．通过对其光电流谱的测量，获得了ＧａＮ探测器在紫外波段从２５０～３６５ｎｍ近于平坦的光电流响应曲线，并且观察到在～３．４ｅＶ带边附近陡峭的截止边，即当光波长在从３６５ｎｍ变到３７５ｎｍ的１０ｎｍ区间内，光电流信号下降了３个数量级．在３６０ｎｍ波长处，我们测得ＧａＮ探测器在５Ｖ偏压下光电流响应度为１３３Ａ／Ｗ，并得到了其响应度与外加偏压的关系．通过拟合光电流信号强度与入射光调制频率的实验数据，我们获得了ＧａＮ探测器的响应时间及其与偏压的关系．

【关键词】 紫外探测器； GaN/6H-SiC； 响应度； 光波长； 带边； 紫外波段； 调制频率； 直接带隙； 电流响应； 半导体材料；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1998年03期
  • 【分类号】TN230.1
  • 【被引频次】14
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