节点文献

SiC晶须在高压静电场作用下单向排列的研究

Study of One-Diectional Arrangement of SiC Whiskers under High Voltage Electrostatic Field

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 姚奎毅； 郭英奎； 潘显荣； 肖锐来；

【Author】 Yao Kuiyi; Guo Yingkui; Pan Xianrong(Harbin University of Science and Technology, Harbin Heilongjiang 150080,PRC)Xiao Ruilai (Mudanjiang University, Mudanjiang Heilongjiang 157000, PRC)

【机构】 哈尔滨理工大学材料科学与工程系!黑龙江哈尔滨150080； 牡丹江大学机械及电子工程系!黑龙江牡丹江157000；

【摘要】 研究了在高压静电场作用下，经过预处理的SiC晶须在含有适量非离子表面活性剂的氟里昂（R－113）中单向排列的工艺，探讨了SiC晶须单向排列可能的机理。结果表明，在高压静电场的作用下，SiC晶须首先极化并且在电场力的作用下朝着静电场方向定向排列。

【Abstract】 This paper deals with the one-directional arrangement technique and the possible mehanism of bretreated SiC whiskers in nonion surface-active agent Feron-113 under the high voltage electrostatic field. Results have showed that under the high voltage electrostatic field, the SiC whiskers first are polarized and then are arranged towards the direction of the electrical field

【关键词】 SiC晶须； 金属基复合材料； 组织结构；
  • 【文献出处】 机械工程材料 ,Materials For Mechanical Engineering , 编辑部邮箱 ,1997年03期
  • 【分类号】TB33
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】91
打印本页
节点文献中：