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φ75mmSI-GaAs单晶的研制

Growth of ■75 mm SI-GaAs Single Crystal

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【作者】 宋群厚； 陈宏毅； 赵周英； 吴颖炜； 朱志明； 陈小宾； 戴杰； 竹正源；

【Author】 Song Qunhou; Chen Hongyi; Zhao Zhouyin; Wu Yingwei Zhu Zhiming; Chen Xiaobin; Dai Jie; Zhu Zhengyun(Nanjing Electronic Derices Institute, 210016)

【机构】 南京电子器件研究所!210016；

【关键词】 mmSI-GaAs； 单晶炉； 砷化镓集成电路； 均匀性； 电子迁移率； 具体参数； 晶体生长； 温区； 位错密度； 电学参数；
  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,RESEARCH & PROGRESS OF SOLIA STATE ELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,1997年01期
  • 【分类号】TN304
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