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硅基纳米SiC的制备及其微结构分析

Preparation of Si-Based Nanocrystalline SiC and its Microstructure Analises

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【作者】 李宁生； 鲍希茂； 廖良生； 吴晓华； 高义华； 张泽；

【Author】 Li Ningsheng; Bao Ximao; Liao Liangsheng and Wu Xiaohua (Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093)Gao Yihua and Zhang Ze (Beijing Laboratory of Electron Microscopy, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080)

【机构】 南京大学物理系!南京； 210093； 中国科学院北京电子显微镜室!北京； 100080；

【摘要】 在室温下将C+注入硅衬底，注入能量和剂量分别为50keV，2×1016cm－2．经高温退火形成，β-SiC颗粒沉淀．用傅里叶变换红外吸收谱，光电子能谱以及高分辨率透射电镜对注入样品中的纳米β-SiC及其微结构作了分析．

【Abstract】 Carbon ions were implanted into Si substrates at an energy of 50keV with a dose of 2 × 1016/cm2 at room temperature. After high temperature annealing, the precipitates of β-SiC were foremed. The formation and microstructure of nanocrystalline β-SiC is studied by using Fourier transform infrared spectroscope, X-ray photo-emission spectroscpy and high resolution transmission electron microscope.

【关键词】 基纳； SiC； 硅衬底； 微结构； 红外吸收谱； 高温退火； 注入能量； 光电子能谱； 傅里叶变换； 高分辨率；
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1997年10期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】8
  • 【下载频次】181
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