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高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性

High-Power, High-Temperature Operation of AlGaAs Single Quantum Well Lasers

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【作者】 朱东海； 王占国； 梁基本； 徐波； 朱战萍； 张隽； 龚谦； 金才政； 丛立方； 胡雄伟； 韩勤； 方祖捷； 刘斌； 屠玉珍；

【Author】 Zhu Doughai; Wang Zhanguo; Liang Jiben; Xu Bo;Zhu Zhanping; Zhang Jun and Gong Qian(Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Smiconductors,The Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083)Jin Caizheng; Cong Lifang; Hu Xiongwei and Han Qi

【机构】 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室； 北京； 100083； 中国科学院半导体研究所半导体材料科?；

【摘要】 本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平．器件的特征温度高达185K（35～85℃）及163K（85～95℃）．同室温相比，器件在95℃的工作条件下，其功率输出的斜效率下降了23％．

【Abstract】 High power AlGaAs single quantum well (GRIN-SCH) lasers grown by MBE have been investigated at high temperature. We have demonstrated the GRIN-SCH lasers capable of CW operation up to 2W at room temperature and 500mW at 95℃. The laser has characteristic temperature (T0) of 185K (35～85℃ ) and 163K (85～95℃). Compared with the operation at room temperature, the slope efficiency is decreased by 23% at 95℃.

【关键词】 单量子阱激光器； AlGaAs； 特征温度； 阈值电流； 载流子密度； 量子效率； 激射波长； 包层； 渐变折射率； 腔长；
【基金】 国家“863”计划的支持
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1997年05期
  • 【分类号】TN24
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】43
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