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超高电流增益多晶硅发射极BICFET的研制与特性

Fabrication and Characteristics of Super Gain Polysilicon Emitter BICFET

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【作者】 郭维廉； 宋玉兴； M．A．Green； M．K．Morvvej－Farshi；

【Author】 Guo Weilian and Song Yuxing (Department of Electronic Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072)M. A. Green and M. K. Morvvej-Farshi (School of Electrical Engineedng, University of New South Wales)

【机构】 天津大学电子工程系!天津； 300072； 澳大利亚新南威尔士大学电机系；

【摘要】 研制并测量了poly－Si（n+）／UTI／n－Si隧道结发射极双极反型沟道场效应晶体管（BICFET）．发现在极低电流下，此器件的小信号电流增益（G）超过106．本文对此作出了新的解释．

【Abstract】 The BICFET with an emitter structure of poly-Si(n+)/UTI/n-si tunnel junction has been fabricated and the characteristics of the BICFET have been measured. The small-signal current gain (G) of this device is in excess of 106 at low current level and the explanation on a new idea for this high G has been made.

【关键词】 电流增益； BICFET； 场效应晶体管； 反型层； 基区； 隧道结； 双极晶体管； 集电极电流； 表面电场； 少子；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1997年04期
  • 【分类号】TN304
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